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基本參數(shù)

1、淀積尺寸：8吋及以下；

2、淀積材料：SiO2、Si3N4、非晶硅、碳化硅等；

3、加熱溫度：≤300℃；

4、淀積速率：200～300 A°/min；

5、淀積不均勻度：≤±2%；

6、操作方式：自動(dòng)控制方式；

7、系統(tǒng)總控：人機(jī)界面及控制程序；

8、電源：220VAC/50Hz，10KW；

9、機(jī)器重量：800kg；

10、機(jī)器尺寸: D810mm× W1820mm×H1850mm。

電源及沉積室

1、射頻電源：13.56MHz，功率1.0KW；

2、沉積室規(guī)格：雙室，Φ400x150mm，不銹鋼材質(zhì)，開門結(jié)構(gòu)；

3、真空度：經(jīng)烘烤除氣后≥3.0×10-5 Pa；

4、抽氣時(shí)間：大氣壓 ~ 5*10-4 Pa≤35min。

測(cè)量系統(tǒng)

1、真空計(jì)：數(shù)顯復(fù)合真空計(jì)1套，測(cè)量低真空和高真空；

2、帶四路質(zhì)量/流量控制器。

冷卻系統(tǒng)

1、配備冷卻水循環(huán)系統(tǒng)：水冷機(jī)設(shè)有水流報(bào)警系統(tǒng)；

2、保護(hù)系統(tǒng)：對(duì)水壓低等情況進(jìn)行報(bào)警并執(zhí)行相應(yīng)保護(hù)。